مقالات مدیریت
دانلود ترجمه مقاله طراحی و اجرای سوییچ‌های نوری برپایه‌ی رزوناتور حلقه‌ای پلاسمونیک غیر خطی: دایره‌ای، مربعی و هشت‌وجهی – الزویر ۲۰۱۸
سپتامبر
دانلود ترجمه مقاله طراحی و اجرای سوییچ‌های نوری برپایه‌ی رزوناتور حلقه‌ای پلاسمونیک غیر خطی: دایره‌ای، مربعی و هشت‌وجهی – الزویر ۲۰۱۸:نتایج نشان داد که ساختار سوییچ هشت‌وجهی دارای توان اشباع کمتر و نسبت انتقال بیشتری نسبت به ساختارهای سوییچ مربعی و دایره‌ای می‌باشد. ساختار سوییچ هشت‌وجهی دارای توان اشباع کمی برابر با و نسبت انتقال بالای تقریبی 6/0 می‌باشد. بنابراین ساختار سوییچ هشت‌وجهی کاندید مناسبی به منظور اعمال به مدارهای یکپارچه‌سازی نوری به عنوان AOPS می‌باشد.
| عنوان فارسی مقاله: |
طراحی و اجرای سوییچ‌های نوری برپایه‌ی رزوناتور حلقه‌ای پلاسمونیک غیر خطی: دایره‌ای، مربعی و هشت‌وجهی
|
| عنوان انگلیسی مقاله: | |
| سال انتشار میلادی: | 2018 |
| نشریه: |
Database: Elsevier – ScienceDirect (ساینس دایرکت) Journal: Photonics and Nanostructures – Fundamentals and Applications – Volume 29, May 2018, Pages 15-21 |
| کلمات کلیدی فارسی: | |
| کلمات کلیدی انگلیسی: |
Nonlinear Kerr Effect
All-optical switches (AOS)
Plasmonics
Ring resonator (RR)
|
| تعداد صفحات ترجمه شده: | 17 صفحه با فونت ۱۴ B Nazanin |
| نویسندگان: |
Majid Ghadrdan, Mohammad Ali Mansouri-Birjandi,
|
| موضوع: | مواد الکترونیکی, نوری و مغناطیسی |
| دسته بندی رشته: | |
| فرمت فایل انگلیسی: | 7 صفحه با فرمت pdf |
| فرمت فایل ترجمه شده: | Word |
| کیفیت ترجمه: | عالی |
| نوع مقاله: | isi |
| تعداد رفرنس: | دانلود ترجمه مقاله سوییچ‌های نوری |
مقاله انگلیسی+ترجمه فارسی
فهرست مطالب
چکیده
کلمات کلیدی
1.مقدمه
2- تئوری و مدل ساختارها
شکل 1- شماتیک (الف) مربع، (پ) هشت‌وجهی و (ث) دایره‌ای AOPS پیشنهادی. نمای بالای AOPS (ب) مربعی، (ت) هشت‌وجهی و (ج)دایره‌ای.
شکل2- مواد تشکیل‌دهنده و هندسه‌ی موج‌بر AOPS.
3- نتایج شبیه‌سازی و بحث
3.1 قابیلت تنظیم رزونانس، تاثیرات اندازه شکاف و عرض موج‌بر AOPS
شکل 3- طول موج‌های رزونانس و پیک‌های طیف انتقال ساختار سوییچ مربعی برحسب (الف) اندازه شکاف و (ب) عرض موج‌بر.
شکل 4- طول موج رزونانس و پیک‌های طیف انتقالی ساختارهای سوییچ هشت‌وجهی برحسب (الف) اندازه شکاف و (ب) عرض موج‌بر.
شکل5- طول موج‌های رزونانس و پیک‌های طیف انتقالی ساختار سوییچ دایره‌ای برحسب (الف) اندازه شکاف و (ب) عرض موج‌بر.
3.2 پارامترهای هندسی بهینه
جدول 1 – پارامترهای فیزیکی و هندسی برای ساختارها.
شکل 6 – طیف انتقال NPRR ساختارهای سوییچ (الف) مربعی، (ب) هشت‌وجهی و (پ) دایره‌ای.
3.3 تاثیر سوییچ‌کردن
شکل 7 – الگوهای میدان نوری AOPS برای دو حالت شدت کم و زیاد: پیکربندی‌های RR (الف و ب) مربعی، (پ و ت) هشت‌وجهی و (ث و ج) دایره‌ای.
شکل 8 – نسبت انتقال NPRR برحسب توان ورودی.
4- نتیجه‌گیری
ترجمه چکیده
در این مقاله، سوییچ‌های پلاسمونیک تمام نوری (AOPS) برپایه‌ی پیکربندی‌های رزوناتور حلقه‌ای پلاسمونیک غیرخطی (NPRR) دایره‌ای، مربعی و هشت‌وجهی پیشنهاد شد و به صورت عددی مورد مطالعه قرار گرفت. هرکدام از این پیکربندی‌ها از دو موج‌بر فلز-عایق-فلز (MIM) متصل‌شده به یکدیگر به وسیله‌ی یک رزوناتور حلقه‌ای (RR) تشکیل شده بودند. تاثیر کر غیرخطی به منظور نمایش عملکرد سوییچ‌کردن NPRR پیشنهاد شده، استفاده شد. نتایج نشان داد که ساختار سوییچ هشت‌وجهی دارای توان اشباع کمتر و نسبت انتقال بیشتری نسبت به ساختارهای سوییچ مربعی و دایره‌ای می‌باشد. ساختار سوییچ هشت‌وجهی دارای توان اشباع کمی برابر با و نسبت انتقال بالای تقریبی 6/0 می‌باشد. بنابراین ساختار سوییچ هشت‌وجهی کاندید مناسبی به منظور اعمال به مدارهای یکپارچه‌سازی نوری به عنوان AOPS می‌باشد.
چکیده انگلیسی
نمونه ترجمه مقاله:دانلود ترجمه مقاله سوییچ‌های نوری
1- مقدمه
امروزه روش‌های پردازش سیگانلی به تمامی سطوح تمام نوری توسعه یافته است و توجهات بسیاری از محققان و دانشمندان را به خود جلب کرده است. عناصر نوری مانند فیلترها[1,2]، تبدیل‌کننده‌های آنالوگ به دیجیتال[3]، دروازه‌های منطقی[1][4-6]، تقسیم‌کننده‌ها[7]، تسهیم‌گرها[2][8,9] و سوییچ‌های تمام نوری[3] [10-14] (AOS) در این مرحله پیشنهاد شده است. فرآیند اطلاعات نوری و ارتباطات نوری بر اساس AOS می‌باشد، بنابراین AOS کلید تلکنولوژی، فن‌آوری فرآیند سیگانال تمام نوری می‌باشد.
تا به حال انواع متنوعی از AOS براساس اصول کارکرد متفاوتی نشان داده شده است. این ساختارهای پیشنهاد داده شده دارای خصوصیات، کارکرد و کاربردهای متفاوتی در موقعیت‌های گوناگونی است. در میان آنها، AOS پایه بر پلاریتون پلاسمون سطحی[4](SPPs)، به دلیل زمان پاسخوگویی بسیار سریع و مقیاس نانومتر آن توجه بیشتری را به خود جلب کرده است[15-19].
SPPs انتشار امواج الکترومغناطیس در فصل مشترک بین دی‌الکتریک و فلز می‌باشد. بیشینه میدان الکترومفناطیس در فصل مشترک قرار دارد و به صورت نمایی در داخل نواحی فلزی و دی‌الکتریک کاهش پیدا می‌کند. هنگامی که ابعاد ساختارهای فلزی با طول موج نوری قابل مقایسه باشد، SPPs می‌تواند تحریک شوند[20,21].
کاربرد تاثیرات غیرخطی نوری مانند نوع کر غیرخطی[5]، رویکرد جذابی را برای AOPS به دلیل سوییچ‌های غیرخطی با زمان پاسخگویی بسیار سریع، مقیاس نانومتری و توان آستانه‌ی پایین، دارد[18,22]. علاوه‌ی بر این برخی ساختارها برای سوییچ‌های پلاسمونی تمام نوری[6] (AOPS) ازجمله حفره‌‌ها[23-26]، تداخل‌سنج ماچ-زندر[7][27-30]، متصل‌کننده‌ی محوری[31-33] و تشدیدکننده‌ی حلقه‌ای[8][34-38] (RRs) استفاده می‌شوند. در میان این ساختارها، RRs به عنوان کاندید جذابی برای هدایت‌کردن و سوییچ‌کردن ظاهر شده است.
در این تحقیق ما، سه AOS برمبنای پیکربندی گوناگون تشدیدکننده‌ی حلقه‌ای پلاسمونی غیرخطی[9](NPRR) دایره‌ای، مربعی و هشت‌وجهی را نشان داده‌ایم. تاثیر غیرخطی کر[10] برای نمایش عملکرد سوییچ برای NPRR پیشنهاد شده، استفاده شد. طیف‌های انتقالی و توان‌های سوییچ‌کردن مورد نیاز برای پیکربندی‌های گوناگون مورد مقایسه قرار گرفت. عملکرد سوییچ‌های پیشنهادی ما با استفاده از ناحیه تفاوت زمانی محدود[11](FDTD) بررسی شد. تمامی ساختارهای ارائه‌شده دارای توان‌بالقوه‌ی مورد استفاده در مدارهای تعویض نوری و فرآیند اطلاعات پلاسمویی نانو را دارند.
[1] logic gates
[2] Multiplexers
[3] All-optical switches
[4] Surface Plasmon Polaritons
[5] Kerr-type nonlinearities
[6] All-optical plasmonic switches
[7] Mach- Zehnder interferometers
[8] Ring resonators
[9] Nonlinear plasmonic ring resonators
[10] Nonlinear Kerr
[11] Finite-difference time domain
