عنوان فارسی: دانلود ترجمه مقاله انتقال فاز برگشت پذیر ناشی از فوتون در پروسکایت CsPbBr3

دانلود ترجمه مقاله انتقال فاز برگشت پذیر ناشی از فوتون در پروسکایت CsPbBr3 – وایلی ۲۰۱۹: بطور خلاصه، ما انتقال فاز معکوس پذیر از ارتورومبیک به چهار وجهی در تک بلورهای CsPbBr3 را تحت روشنایی بالاتر از گاف نواری با یک آستانه انرژی کوچک (۱٫۶ mW cm-2) گزارش می دهیم. با مقاومت محاسبه تئوری کارکردی چگالی و اندازه گیری های سیستماتیک، پی بردیم که انتقال فاز از تغییر حالت حرکت در هشت وجهی Pb-Br ناشی می گردد که از انبساط متقارن پیوند مخالف حالت B1g ارتعاضی به حالت E تغییر می کند.

مقاله انگلیسی+ترجمه فارسی

فهرست مطالب

1- مقدمه

۲- نتایج و بحث

۳- نتیجه گیری

منابع

مقدمه

سازماندهی مجدد ساختار در مواد پروسکایت بعلت ویژگی های جذاب (مساعدتی) خود در دستگاه های الکترونیک نوری – مانند تحقق لیزر موج متداوم و بهبود عملکرد در دستگاه های فتوولتاییک – مورد توجه زیادی قرار گرفته است. متأسفانه دشواری کنترل پردازش سازماندهی مجدد و مکانیزم های بنیادی غیر واضح، مانعی را بر سر راه «بهره گیری از سازماندهی مجدد ساختاری در پی عملکردهای متمایز در دستگاه های مبتنی بر پروسکایت» ایجاد میکند. در مقاله حاضر ابتدا تحریک انتقال فاز از ارتورومبیک (راست محوری) به چهار وجهی در CsPbBr3، با استفاده از روشنایی بالاتر از گاف نواری (شکاف باند) با یک آستانه انرژی کوچک (۱٫۶ mW cm 2) گزارش می گردد. این انتقال از ارتورومبیک به چهار ضلعی، معکوس پذیر است و پاسخ سریع و قابل کنترلی (<0.5 s) را نسبت به روشن/خاموش شدن لامپ نشان میدهد. محاسبات تئوری کارکردی چگالی و طیف نمایی رامان نشان میدهد که این سازماندهی مجدد پویای ساختار توسط انتقال جهت پیچش در هشت وجهی Pb-Br ایجاد میشود، در حالیکه اثبات شده است که «میدان کولنی محلی القا شده با تفاوت اختلاف پتانسیل نفوذ» این فرآیند را تحریک میکند. یافته های تحقیق حاضر درک عمیقی از سازماندهی مجدد جهانی ساختار تحت تابش دهی در مواد پروسکایت را فراهم می سازند و مطالعه بیشتر «عملکردهای جدید همراه با سازماندهی مجدد ساختار القا کننده رفتارهای موقتی در دستگاه های الکترونیک نوری را ترغیب میکنند: بعنوان مثال تغییرات در ثابت دی الکتریک و اثرات راشبا القا شده با نوسان لبه نوار، که تأثیر مهمی را بر روی دستگاه های الکترونیک نوری مبتنی بر پروسکایت نشان میدهند.

مقدمه انگلیسی

Structure reorganization within perovskite materials has attracted much attention due to its assisted appealing features in optoelectronic devices, such as achieving continue-wave laser and performance enhancement in photovoltaic devices. Unfortunately, the difficulty of controlling reorganization processing and unclear underlying mechanisms impose an impediment for taking advantage of the structural reorganization in pursuit of distinctive functions in perovskite-based devices. In this work, using above-bandgap illumination with a small energy threshold (1.6 mW cm−۲ ) triggering phase transition from orthorhombic to tetragonal in CsPbBr3 is first reported. This photon-induced structure reorganization is reversible and presents a fast and controllable response (<0.5 s) to light on/off. Raman spectroscopy and density functional theory calculations reveal that such a dynamic structure reorganization is caused by the transition of torsion direction in Pb–Br octahedral, while the diffusion potential difference induced local Coulombic field is proved to drive this process. The findings provide a deep understanding for universal structure reorganization under irradiation in perovskite materials and encourage further study of the novel functions associated with structure reorganization inducing temporal behaviors in optoelectronic devices, for example variations in dielectric constant and band edge fluctuation induced Rashba effects, which show a significant influence on perovskite-based optoelectronic devices.

نمونه ترجمه مقاله:

پروسکایت های هیبریدی غیرآلی/آلی با فرمول عمومی ABX₃ بعلت عملکرد بالا و فرآیند تولید کم هزینه خود، اخیراً بعنوان مواد حساس به نور در دستگاه های الکترونیک نوری مانند سلول های خورشیدی، آشکارسازها، دیودهای نورافشان (LED) و لیزرها مورد توجه قرار گرفته اند: A معمولاً یک کاتیون آلی کوچک مانند متیل آمونیوم (MA+)، فورما میدینیوم[1] (FA+)، یا Cs غیرآلی است؛ B معمولاً Pb²⁺ و X یک هالید است. تاکنون تلاش زیادی برای مطالعه خواص نور فیزیکی انجام شده است که سبب عملکرد عالی الکترونیک نوری می شوند: بعنوان مثال انرژی بستگی (انرژی اتصال) مناسب اکسایتون، تحمل بالا برای حالت های تله، طول عمر بلند حامل حاصل از نور، و طول نفوذ.

با اینحال علیرغم پیشرفت هایی که در این زمینه ها حاصل شده است هنوز نور-فیزیک های[2] اساسی مهم زیادی (همچون تعامل فوتون-شبکه) باقی می ماند که کشف نشده اند. اخیراً اثر کرنش تحت تابش نور[3] مشاهده شده در MAPbI₃ و MAPbBr₃ راه را برای کاربرد پروسکایت در دستگاه های نوری-مکانیکی هموار کرده است. مطالعات نشان داده است که تغییرات بُعد تحت روشنایی بعلت ترکیب اثر فتوولتاییک و فقدان تقارن انتقالی پیکربندی ملکولی آلی است. به ویژه اینکه، حفره ها و الکترون های حاصل از نور، ابتدا یک میدان الکتریکی ایجاد میکنند که سبب تضعیف پیوند هیدروژنی بین کاتیون آلی (MA⁺) و هشت وجهی PbI₆^4- میشود و سپس چرخش کاتیون آلی (MA⁺) در محفظه (قفس) PbI₆^4- را تسریع میکند. با این وجود، تغییرات مشابه بُعد القا شده با فوتون نیز در CsPbBr₃ غیرآلی مشاهده شد، که این عاملیت الکترونیک نوری را روشن می سازد که در پروسکایت هالید پیش افت، فراگیر است. این مشاهده همچنین نشان میدهد که همسویی کاتیون آلی در میدان الکتریکی بعلت حاملان بار حاصل از نور، بر تغییر شکل ساختار پروسکایت یا سازماندهی مجدد ساختار، حکمفرما نیست. اگرچه فرآیند فیزیکی بنیادین بصورت مبهم باقی می ماند، اما نشان داده شده است که این نوسان پویای ساختار القا شده با نور، از طریق تسهیل جداسازی بار و به تأخیر انداختن بازترکیب، نقش حیاتی را در عملکرد دستگاه فتوولتاییک بازی میکند. برای

[1] formamidinium

[2] photophysics

[3] photostriction